中美贸易战下，陆记忆体商福建晋华，遭美国指控窃取商业机密，发展停摆。不过另一家记忆体商长江存储似乎未受影响，今年底将如期量产64层3D NAND flash。专家称，量产后长江存储和国外大厂的技术差距，将缩小至两年。
日经新闻报导，长江存储共同技术长Chen Wei-Hua在中国国际大会场边向日经新闻表示，该公司生产如期推进，和全球供应商的合作关系照旧。长江存储接受中国政府「大基金」的资金挹注，正在湖北武汉打造价值 240亿美元的工厂(见图)，预定2019 年底量产中国首次自行研发的64层3D NAND flash晶片。64层3D NAND是当前的业界主流规格。
市场观察家说，长江存储是中国最有希望的记忆体业新星，不过2019、2020年对市场应该不会有太大影响。 Bernstein Research半导体分析师Mark Li说，中国多家记忆体业者中，长江存储的制造技术根基或许最为稳固，如果该公司的64层 3D NAND如期在2019年下半量产，长江存储和国外领导厂商的技术差距，可望从落后3、 4年，缩小至落后2年。
福建晋华的前车之鑑，让长江存储的Chen强调，该公司不允许员工窃盗智慧财产权，或偷盗其他公司机密，他们要求所有人员签署协定，不能把非法取得资料带进公司。另外，近来记忆体供给过剩，价格跌不停，外界忧虑长江存储将开出庞大产能，打坏市场。 Chen指出，该公司不会大举增产，让记忆体供过于求。长江存储执行长杨士宁(Simon Yang)去年九月也说，无意摧毁记忆体市场。
中国积极发展，IC Insights估计，今年全球预定有 9家12吋(300mm)厂启用，其中 5家位于中国。
